LED电流

根据LED厂家数据显示，LEDripple过大会影响LED寿命，尽量控制在小的范围，散热解决的不太好，即可把LED降额使用；

功率MOS管（场效应管）发热

功率管发热与功率管功耗相关；

功率管功耗：开关损耗 + 导通损耗

导致开关损耗的原因与：功率管MOS管（场效应管）的cgd及cgs，芯片驱动能力，工作频率相关；

解决方案：

1.选择适合的功率MOS管（场效应管）选择够用即可；

注意：不能根据导通电阻大小选择功率MOS管（场效应管），内阻越小，cgs和cgd电容越大；

2.频率与导通损耗成正比，功率MOS管（场效应管）发热可能是频率高了，如果降低频率，那么电流或电感就要变大，从而导致电感进入饱和区域，电感饱和电流足够的大，可CCM(连续电流模式)改成DCM(非连续电流模式)，再增加一个负载电容；

 

工作频率降频

降频的原因：输入电压和负载电压的比例小 + 系统干扰大；

解决方案：

输入电压和负载电压的比例小：负载电压设置不要太高；

系统干扰大：

1.电流最小值调小；

2.布线要干净（特别注意sense路径）

3.电感值选择相对小一些，或者是用闭合磁路的电感

4.加RC低通滤波（选择此解决方案的坏影响是：C的一致性不好，偏差大）；

 

内置电源调制器的高压驱动芯片发热

驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管（场效应管）的消耗；

公式：I=cvf （c=功率MOS管cgs电容  v=功率管导通时的gate电压 ）

降低芯片功耗，即降低c、v、f，如果此三种都不能变，可将芯片功耗分摊到芯片外器件上；