英飞凌为最高的效率和质量要求开发解决方案。

新推出的600 V CoolMOS™ S7产品系列在功率密度和能源效率方面领先于低频开关mosfet的应用。

CoolMOS S7系列产品的主要特点包括导电性能的优化、耐热性的提高和高脉冲电流能力，所有这些都是在最高质量标准下实现的。这些器件的应用包括有源桥式整流、逆变级、可编程逻辑控制器、功率固态继电器和固态断路器。

此外，10MΩCoolMOS S7 mosfet是业界最小的rd（on）器件。

产品系列的开发是为了最小化传导损耗，确保最快的响应时间，同时提高低频开关应用的效率。

与CoolMOS 7产品相比，CoolMOS S7器件提供更低的R-DS（on）x-A，以成功地权衡开关损耗，从而降低导通电阻和成本。

CoolMOS S7产品具有市场上最低的高压开关导通电阻（R DS（on））。此外，还实现了将10 mΩ芯片安装到创新的顶部冷却QDPAK中，并将22 mΩ芯片安装到最先进的小型到无铅（TOLL）SMD封装中。这些mosfet实现了低成本、简单、紧凑和模块化的高效率设计。

系统可以很容易地满足法规和能效认证标准（即，用于SMPS的Tianium®），并满足电源预算，减少部件数量、散热器和总拥有成本（TCO）。