场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

场效应管分为两种：结型场效应管（JFET）和 金属 - 氧化物半导体场效应管（MOS-FET）

 

场效应管作用：

1.电路开关作用

2.可变电阻作用

3.放大器作用

4.恒流源作用

5.阻抗变换作用

 

场效应管工作原理：

 

是漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID；

 

场效应管内部结构图

从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

 

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层，因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

 

VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

 

场效应管工作原理图